Samsung revela su ambición en memorias: GDDR6 de 36 Gbps y V-NAND de 1.000 capas
Samsung Electronics cierra la semana con una serie de anuncios muy interesantes para el mercado de las memorias. El gigante surcoreano, en su evento Tech Day 2022, ha brindado algunos detalles de sus planes para el desarrollo de soluciones de próxima generación.
Empezamos por el mundo de la DRAM. Samsung dice que sus chips en un proceso de 1b (10 nm) todavía están en desarrollo. No obstante, hay una importante evolución. Esto se traduce en que la producción en masa podría comenzar en algún momento de 2023.
El gigante surcoreano también está enfocado en ir al siguiente nivel de fabricación, alcanzar menos de 10 nm en los próximos años. Se trata de un desafío tecnológico que, según explica, está requiriendo emplear nuevos patrones, materiales y arquitecturas bajo la tecnología “High-K”.
GDDR7 y V-NAND de 1.000 capas
Samsung también ha mencionado cuáles son las próximas soluciones DRAM que llegarán al mercado. Tenemos DDR5 de 32 GB y LPDDR5X de 8,5 Gbps que estarán a los futuros ordenadores, centros de datos, dispositivos móviles y consolas de videojuegos.
Además de anunciar las mencionadas novedades relacionadas a la memoria DRAM convencional, Samsung señaló que es importante trabajar en soluciones DRAM a medida, como HBM-PIM, AXDIMM y CX. El objetivo de esto será al “explosivo crecimiento” del sector.
Una de las novedades más interesantes del Tech Day 2022 ha sido un vistazo a las especificaciones de la memoria de Samsung para las gráficas de próxima generación. Se trata de las DRAM GDDR7, una gran promesa para las consolas de videojuegos y gráficas futuras.
El fabricante dice GDDR7 ofrecerá velocidades de hasta 36 Gbps, un aumento interesante si tenemos en cuenta los 24 Gbps que alcanza GDDR6. Esta característica podría garantizar un importante salto de rendimiento para las sucesoras de las RTX 4090, pero también un salto en su precio.
Por último, pero no menos importante, mencionamos que Samsung sigue trabajando en mejorar su tecnología de almacenamiento. Los chips V-NAND de octava generación presentan una mejora en densidad de bits del 42% en relación a la generación anterior.
Los nuevos chips V-NAND con 1 TB de capacidad llegarán al mercado a finales de este año, pero eso no es todo. También está en desarrollo V-NAND de novena generación, cuya producción en masa comenzará en 2024, por lo que tendremos que esperar un poco para verla llegar.
El fabricante dice también está trabajando para conseguir una gran cantidad de almacenamiento en poco espacio, así como mejorar la velocidad y la eficiencia de sus futuras soluciones. Siguiendo ese camino, en 2030 podría apilar más de 1.000 capas en sus memorias V-NAND.
Imágenes: Samsung
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Samsung revela su ambición en memorias: GDDR6 de 36 Gbps y V-NAND de 1.000 capas
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Javier Marquez
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