Móviles con baterías que duran una semana: IBM y Samsung prometen un avance nunca visto en el diseño de los transistores
La crisis de los semiconductores no frena a los fabricantes, que ya planean cómo salir de ella. IBM y Samsung han anunciado una de sus tecnologías más ambiciosas en coalición en materia de transistores. VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) es el nombre que recibe su forma conjunta de diseñar transistores apilándolos en vertical y perpendiculares a la oblea de silicio, para superar las actuales limitaciones de los diseños FinFET.
En plena carrera por miniaturizar los transistores, esta nueva aproximación en el diseño de los transistores promete ser uno de los mayores avances en eficiencia, permitiendo importantes mejoras en ámbitos como el de la telefonía, informática e incluso industria aerospacial.